» Характеризиране на полупроводникови материали и прибори чрез: фотолуминесценция;  ефект на Хол; волт-капацитивен (С-V)  метод; спектроскопия на дълбоки нива (DLTS);  Оже-електронна спектроскопия (AES); дифракция на бързи електрони (HEED);

» Високотемпературни измервания на Омови и Шотки контакти;

» Измерване на термични процеси в мощни транзистори;

» Електро-оптични характеристики;

» Измерване на микро- и нанотвърдост, адхезия, определяне на еластичен модул и коефициент на фрикция на твърди и свръхтвърди материали и покрития.