МНОГОСЛОЙНИ AlGaAs/GaAs ХЕТЕРОСТРУКТУРИ.

Напречен разрез на многослойна хетероструктура за GaAs слънчеви елементи: подложка; 1-буферен слой; 2-база, 3-емитер, 4-широкозонен «прозорец»; 5-контактен слой

Външна квантова ефективност на многослойни хетероструктури за GaAs (1) и AlGaAs(2) слънчеви елементи

 

Израстнати са многослойни хетероструктури за еднопреходни GaAs и AlGaAs слънчеви елементи с абсолютни стойности на външната квантова ефективност близки до 1 по метода на нискотемпературната течна епитаксия. На тяхна основа са създадени първите в България високоефективни слънчеви елементи с коефициент на преобразуване на неконцентрирано слънчево излъчване ~ 20 % при условия АМ 1.5.