ПОЛУПРОВОДНИКОВИ SIC ПРИБОРИ

SiC p-i-n диоди и Q-модулатор

SiC полупроводникови прибори. Разработени са: мощни, високочестотни и високотемпературни MESFETs от SiC;мощни високотемпературни p-n диоди от  SiC; високоволтови, високочестотни и  високотемпературни p-i-n диоди от SiC с плътност на тока в права посока J_F = 100 A/cm² при 3 V, пробивно напрежение U_R=1700V , работещи в диапазона 26–38 GHz и приложени в модулатори за Q-областта.