ОМОВИ И ШОТКИ КОНТАКТИ ЗА SIC ПРИБОРИ

Темперартурна стабилност на омови контакти с ниско специфично съпротивление за приложение в мощни, високотемпературни и високочестотни прибори на SiC.

На базата на: Ni,  Ni/Si,  Al, Al/Si,  Ti,  AlSiTi,  Pd,  Pd/Ti  и Pd/Si са получени и изследвани Омови контакти с ниско специфично съпротивление (< 1.10^-5 Ω.cm²) и Шотки контакти към n- и p-тип SiC,  получени чрез термично и електронно-лъчево изпарение, и магнетронно разпрашване. Разработена е технология за нанасяне на възпроизводими и надеждни високотемпературни контакти към MESFET, MOSFET и мощни диоди, стабилни при температури до 600ºC.